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如何根据内存芯片标识识别内存

发布时间:2013-08-29 10:11:14

 

如何根据内存芯片标识识别内存

---- 许多朋友都会遇到这样一个问题,在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别,在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制,这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。  

一、现代SDRAM内存芯片的识别  

---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

HY 5X X    XXX XX X X X X XX - XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨     ⑩  

---- “HY”表明是现代的产品。  

---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO,“57”为SDRAM,“5D”为DDR SDRAM。  

---- ②代表工作电压: “U”为2.5V,“V”为3.3V,空白代表5V。  

---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。  

---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。  

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。  

---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”,代表LVTTL接口。  

---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代,“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。  

---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片,空白表示为正常功耗芯片。  

---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:  


“JC”: 400mil SOJ 
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ 
“TD”: TSOP-Ⅱ 
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD 

---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:  

“7”: 7ns(143MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3) 
“10s”: 10ns(PC-100 CL3) 
“10”: 10ns(100MHz) 
“12”: 12ns(83MHz) 
“15”: 15ns(66MHz) 

二、LG SDRAM内存芯片的识别  

---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

GM72V XX XX X X X X X XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧  

---- “GM”代表LG的产品。  

---- “72”代表SDRAM。  

---- “V”代表工作电压为3.3V。  

---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。  

---- ②代表数据位宽: 其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。  

---- ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank,“4”表示4个Bank。  

---- ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。  

---- ⑤代表内核版本。  

---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗,空白则代表常规功耗。  

---- ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装,如果是“I”则代表BLP封装。  

---- ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:  


“75”: 7.5ns(133MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3) 
“7J”: 10ns(100MHz) 
“10K”: 10ns(100MHz) 
“12”: 12ns(83MHz) 
“15”: 15ns(66MHz) 

三、KingMax SDRAM内存芯片的识别  

---- KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

KM X XX S XX X X X X X - X XX  
    ① ②     ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧     ⑨ ⑩  

---- “KM”表示KingMax的产品。  

---- ①代表内存芯片种类: “4”代表DRAM。  

---- ②代表内存芯片组成个数: “4”代表×4,“8”代表×8,“16”代表×16。  

---- “S”表明是SDRAM。  

---- ③代表一个内存芯片密度: “1”代表1Mbit,“2”代表2Mbit,“4”代表4Mbit,“8”代表8Mbit,“16”代表16Mbit。  

---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref,“1”代表2K Ref,“2”代表8K Ref。  

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: “2”代表2个Bank,3代表4个Bank。  

---- ⑥代表内存接口: “0”代表LVTTL,“1”代表SSTL。  

---- ⑦代表内存版本: 空白代表第1代,“A”代表第2代,“B”代表第3代。  

---- ⑧代表封装类型: “T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。  

---- ⑨代表电源供应方式: “G”代表自动刷新,“F”代表低电压自动刷新。  

---- ⑩代表最少存取周期(最高频率): 其编号与速度的对应关系如下:  

“7”: 7ns(143MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“10”: 10ns(100MHz) 
“H”: 100MHz@CAS值为2 
“L”: 100MHz@CAS值为3 

---- 例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM内存芯片,刷新为8K Ref,内存Bank为3,内存接口为LVTTL,第2代内存,自动刷新,速度是10ns(100MHz)。   

内存编号识别(三)

      内存作假主要是以低速内存冒充高速度的,以低容量内存冒充高容量的。要

杜绝此类作假,就要学会识别内存规格和内存芯片编号,方法一般是看SPD芯片中

的信息和内存芯片上的编号,前者是内存的技术规范,后者由于厂家的不同,其

编号规则也不同。 
  从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片,SPD芯片是内存条正面右侧的一块8

管脚小芯片,里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD

、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时,支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中

的信息,按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软

件来查看SPD芯片中的信息,例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测

内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式,一般为PCx-xxx-xxx,但是不同

的内存规范,其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
(1)1.0---1.2版本
  这类版本内存标注格式为:PCa-bcd-efgh,例如PC100-322-622R,其中a表示

标准工作频率,用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即

CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;c表示最少的Trcd

(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示,一般为2;d表示TRP(RAS的预充电

时间),用时钟周期数表示,一般为2;e表示最大的tAC(相对于时钟下沿的数据

读取时间),一般为6(ns)或6.5,越短越好;f表示SPD版本号,所有的PC100内

存条上都有EEPROM,用来记录此内存条的相关信息,符合Intel PC100规范的为

1.2版本以上;g代表修订版本;h代表模块类型;R代表DIMM已注册,256MB以上的

内存必须经过注册。
(2)1.2b+版本 
  其格式为:PCa-bcd-eeffghR,例如PC100-322-54122R,其中a表示标准工作

频率,用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表

示,一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示;

d表示TRP(RAS的预充电时间),用时钟周期数表示;ee代表相对于时钟下沿的数

据读取时间,表达时不带小数点,如54代表5.4ns tAC;ff代表SPD版本,如12代

表SPD版本为1.2;g代表修订版本,如2代表修订版本为1.2;h代表模块类型;R代

表DIMM已注册,256MB以上的内存必须经过注册。  
2、PC133 SDRAM(版本为2.0)内存标注格式 
  威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准,威盛力推的PC133规范是PC133 

CAS=3,延用了PC100的大部分规范,例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD

;英特尔的PC133规范要严格一些,是PC133 CAS=2,要求内存芯片至少7.5ns,在

133MHz时最好能达到CAS=2。
  
  PC133 SDRAM标注格式为:PCab-cde-ffg,例如PC133U-333-542,其中a表示

标准工作频率,单位MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U代表DIMM不含缓冲

区;c表示最小的CL(即CAS的延迟时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;d表

示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间,用时钟周期数

表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如54代表

5.4ns tAC;g代表SPD版本,如2代表SPD版本为2.0。 
3、PC1600/2100 DDR SDRAM(版本为1.0)内存标注格式 
  其格式为:PCab-ccde-ffg,例如PC2100R-2533-750,其中a表示内存带宽,

单位为MB/s;a*1/16=内存的标准工作频率,例如2100代表内存带宽为2100MB/s,

对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U

代表DIMM不含缓冲区;cc表示CAS延迟时间,用时钟周期数表示,表达时不带小数

点,如25代表CL=2.5;d表示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预

充电时间,用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时

不带小数点,如75代表7.5ns tAC;g代表SPD版本,如0代表SPD版本为1.0。 
4、RDRAM 内存标注格式 
  其格式为:aMB/b c d PCe,例如256MB/16 ECC PC800,其中a表示内存容量

;b代表内存条上的内存颗粒数量;c代表内存支持ECC;d保留;e代表内存的数据

传输率,e*1/2=内存的标准工作频率,例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s

,对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。  
5、各厂商内存芯片编号 
  内存打假的方法除了识别内存标注格式外,还可以利用刻在内存芯片上的编

号。内存条上一般有多颗内存芯片,内存芯片因为生产厂家的不同,其上的编号

也有所不同。 
  由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额,它们产的内存芯片质量稳

定,价格不高,另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存,因此我们就

先来看看它们的内存芯片编号。 (

(1)HYUNDAI(现代)
 
  现代的SDRAM内存兼容性非常好,支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它,

其SDRAM芯片编号格式为:HY 5a b cde fg h i j k lm-no 
  其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);b代表

工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K 

Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,

129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);fg

代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h

代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的

幂次关系);I代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);j代表内核版本

(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功

耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-

Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ);no代表速度(7=7ns[143MHz],

8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],

10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
 
  例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和

4K refresh cycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC

是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
 
  市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10,其中

ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难;编号ATC8的可超到124MHz,但上133MHz也

不行;编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲,编号最后两位是

7K的代表该内存外频是PC100,75的是PC133的,但现代内存目前尾号为75的早已

停产,改换为T-H这样的尾号,可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多,

这可能是以前的屯货,但可能性很小,假货的可能性较大,所以最好购买T-H尾号

的PC133现代内存。
 
(2)LGS[LG Semicon]
 
  LGs如今已被HY兼并,市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编

号格式为:GM72V ab cd e 1 f g T hi
 
  其中GM代表LGS的产品;72代表SDRAM;ab代表容量(16=16Mbits,

66=64Mbits);cd表示数据位宽(一般为4、8、16等);e代表Bank(2=2个Bank,

4=4个Bank);f表示内核版本,至少已排到E;g代表功耗(L=低功耗,空白=普通

);T代表封装(T=常见的TSOPⅡ封装,I=BLP封装);hi代表速度(7.5=7.5ns[

133MHz],8=8ns[125MHz],7K=10ns[PC-100 CL2或3],7J=10ns[100MHz]

,10K=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=15ns[66MHz])。
 
  例如GM72V661641CT7K,表示LGs SDRAM,64Mbit,16位输出,4个Bank,7K速

度即PC-100、CL=3。
 
  LGS编号后缀中,7.5是PC133内存;8是真正的8ns PC 100内存,速度快于

7K/7J;7K和7J属于PC 100的SDRAM,两者主要区别是第三个反应速度的参数上,

7K比7J的要快,上133MHz时7K比7J更稳定;10K属于非PC100规格的,速度极慢,

由于与7J/7K外型相似,不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
 
(3)Kingmax(胜创)
 
  Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式,而一般SDRAM内存都采用TSOP封

装。采用TinyBGA封装的内存,其大小是TSOP封装内存的三分之一,在同等空间下

TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍,而且体积要小、更薄,其金属基板到散热

体的最有效散热路径仅有0.36mm,线路阻抗也小,因此具有良好的超频性能和稳

定性,不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好,例如Kingmax PC150内存

在某些KT133主板上竟然无法开机。
 
  Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)

实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条,该

类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题,因此要好于

REV1.1版本。购买Kingmax内存时,你要注意别买了打磨条,市面上JS常把原本是

8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存,所以你最好用SISOFT 

SANDRA2001等软件测试一下内存的速度,注意观察内存上字迹是否清晰,是否有

规则的刮痕,芯片表面是否发白等,看看芯片上的编号。
 
  KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒,这使它的速度得到了很大程度的提

升,即使你用它工作在PC133,其速度也会比一般的PC133内存来的快;Kingmax的

PC133内存芯片是-7的,例如编号KSV884T4A1A-07;而PC100内存芯片有两种情况

:部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08),部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-

07)。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于:PC100的内存有相当一部分可以超

频到133,但不是全部;而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下(

CL=2)。 

(4)Geil(金邦、原樵风金条)
 
  金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条,各种金邦金条的SPD均是确

定的,对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存;金色金条P针对PC133服务

器系统,适合双处理器主板;绿色金条是PC100内存;蓝A色金条针对AMD750/760 

K7系主板,面向超频玩家;蓝V色金条针对KX133主板;蓝T色金条针对KT-133主板

;银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
 
  金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
 
  其中GL2000代表芯片类型(GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装,金

SDRAM=BLP);GP代表金邦科技的产品;6代表产品家族(6=SDRAM);LC代表处理

工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);16M8是

设备号码(深度*宽度,内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 

128Mbit,其中16 = 内存基粒容量;8 = 基粒数目;M = 容量单位,无字母=Bits

,K=KB,M=MB,G=GB);4表示版本;TG是封装代码(DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54

针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 
FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA

,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,TG=TSOP

(第二代),U=μ BGA);-7是存取时间(7=7ns(143MHz));AMIR是内部标识

号。以上编号表示金邦千禧条,128MB,TSOP(第二代)封装,0.2微米3.3V 
Vdd CMOS制造工艺,7ns、143MHz速度。
 
(5)SEC(Samsung Electronics,三星)
 
   三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示:KM表示三星内存;4代表

RAM种类(4=DRAM);16代表内存芯片组成x16(1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、

8=x8、16=x16);C代表电压(C=5V、V=3.3V);254代表内存密度256Kbit(256

[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx)

;D代表内存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代)即三星

256Kbit*16=4Mb内存。
 
  三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示:KM表示三星内存;4代

表RAM种类(4=DRAM);16代表内存芯片组成x16(4 = x4、8 = x8、16 = x16)

;S代表SDRAM;16代表内存芯片密度16Mbit(1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M

、16 = 16M);2代表刷新(0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K);3表示内存排数(2=2排

、3=4排);0代表内存接口(0=LVTTL、1=SSTL);A代表内存版本(空白=第1代

、A=第2代、B=第3代);G代表电源供应(G=自动刷新、F=低电压自动刷新);10

代表最高频率(7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H 

= 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 )。三星的容量需要自己计算

一下,方法是用'S'后的数字乘S前的数字,得到的结果即为容量,即三星

16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片,刷新为8K,内存Banks为3,内存接口LVTTL,第

2代内存,自动刷新,速度是10ns(100 MHz)。
 
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下:
  
  Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA 
  Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 
  三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示:KM表示三星内存;4代

表RAM种类(4=DRAM);16表示内存芯片组成x16(4=x4、8=x8、16=x16、32=x32

);H代表内存电压(H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]);4代表内存密

度4Mbit(4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 

256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G);0代表刷新(0 = 64m/4K 

[15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μ

s]、4 = 128m/16K[7.8μs]);3表示内存排数(3=4排、4=8排);0代表接口电

压(0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V));T表示封装类型(T=66

针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP));Z代表速度133MHz(5 = 5ns, 200MHz 

(400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 

7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz 

(200Mbps))。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片,3.3V DDR SDRAM,刷新时间0 = 

64m/4K (15.6μs),内存芯片排数为4排(两面各两排),接口电压

LVTTL+SSTL_3(3.3V),封装类型66针TSOP 
Ⅱ,速度133MHZ。
 
  三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示:KM表示三星内存;4代表

RAM种类(4=DRAM);18代表内存芯片组成x18(16 = x16、18 = x18);RD表示

产品类型(RD=Direct RAMBUS DRAM);8代表内存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M

、16 = 16M);C代表封装类型(C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL

-CSP);80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M,

BGA封装,速度800Mbps。 

(6)Micron(美光)
 
  Micron公司是世界上知名内存生产商之一(如右图Micron PC143 SDRAM内存

条),其SDRAM芯片编号格式为:MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
 
  其中MT代表Micron的产品;48代表产品家族(48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR 

SDRAM、6=Rambus);ab代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,

V=2.5V Vdd CMOS);cdMef设备号码(深度*宽度),无字母=Bits,K=Kilobits

(KB),M=Megabits(MB),G=Gigabits(GB)Mricron的容量=cd*ef;ef表示数

据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);Ag代表Write Recovery

[Twr](A2=Twr=2clk);TG代表封装(TG=TSOPⅡ封装,DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,

F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,

FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,

R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,U=μ BGA);j代表功耗(L=低耗,

空白=普通);hj代表速度,分成以下四类:
 
(A)DRAM
 
  -4=40ns,-5=50ns,-6=60ns,-7=70ns 
  SDRAM,x32 DDR SDRAM(时钟率 @ CL3) 
  -15=66MHz,-12=83MHz,-10+=100MHz,-8x+=125MHz,-75+=133MHz,-

7x+=143MHz,-   65=150MHz,-6=167MHz,-55=183MHz,-5=200MHz 
  DDR SDRAM(x4,x8,x16)时钟率 @ CL=2.5 
  -8+=125MHz,-75+=133MHz,-7+=143MHz
 
(B)Rambus(时钟率)
 
  -4D=400MHz 40ns,-4C=400MHz 45ns,-4B=400MHz 50ns,-3C=356MHz 45ns

,-3B=356MHz 50ns,-3M=300MHz 53ns
  +的含义 
  -8E支持PC66和PC100(CL2和CL3) 
  -75支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL=3) 
  -7支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2和CL3) 
  -7E支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2+和CL3)
 
(C)DDR SDRAM
 
  -8支持PC200(CL2) 
  -75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5) 
  -7支持PC200(CL2),PC266B(CL2),PC266A(CL=2.5)。 
  例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM,

16M8=16*8MB=128MB,133MHz
 
(7)其它内存芯片编号
 
  NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示:μPD4代表NEC的产品

;5代表SDRAM;64代表容量64MB;8表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8

位、16位、32位,当数据位宽为16位和32位时,使用两位);4代表Bank数(3或4

代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;2代表2个Bank);1代表LVTTL(如

为16位和32位的芯片,则为两位,第2位双重含义,如1代表2个Bank和LVTTL,3代

表4个Bank和LVTTL);G5为TSOPⅡ封装;-A80代表速度:在CL=3时可工作在

125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2(80=8ns[125MHz CL 3],10=10ns[PC100 CL 

3],10B=10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范,12=12ns,70=[PC133],

75=[PC133]);JF代表封装外型(NF=44-pinTSOP-Ⅱ;JF=54-pin TSOPⅡ;

JH=86-pin TSOP-Ⅱ)。
 
  HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示:HM代表日立的产品;52

是SDRAM类型(51=EDO DRAM,52=SDRAM);64代表容量64MB;80表示数据位宽

(40、80、16分别代表4位、8位、16位);5F表示是第几个版本的内核(现在至

少已排到'F'了);空白表示功耗(L=低功耗,空白=普通);TT为TSOⅡ封装;

B60代表速度(75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],A60=10ns[PC-100 CL2

或3],B60=10ns[PC-100 CL3]即100MHZ时CL是3)。
 
  SIEMENS(西门子)内存芯片编号格式为:HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab

为容量,gh是速度(6=166MHz,7=143MHz,7.5=133MHz,8=125MHz,8B=100MHz[

CL3],10=100MHz[PC66规格])。
 
  TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示:TC代表是东芝的产品;

59代表SDRAM(其后的S=普通SDRAM,R=Rambus SDRAM,W=DDR SDRAM);64代表容

量(64=64Mb,M7=128Mb);08表示数据位宽(04、08、16、32分别代表4位、8位

、16位和32位);B表示内核的版本;FT为TSOPⅡ封装(FT后如有字母L=低功耗,

空白=普通);80代表速度(75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],10=10ns

[100MHz CL=3])。
 
  IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10,其中IBM代表IBM的产品;03代

表SDRAM;16代表容量16MB;80表示数据位宽(40、80、16分别代表4、8、16位)

;C代表功耗(P=低功耗,C=普通);D表示内核的版本;10代表速度(68=6.8ns

[147MHz],75A=7.5NS[133MHz], 260或222=10ns[PC100 CL2或3],360或

322=10ns[PC100 CL3],B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标定速度为

:135MHZ,10=10NS[100MHz]。

 

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